此外,戰(zhàn)局Rapidus的膠著輯密積電2HP工藝節(jié)點(diǎn)的邏輯密度達(dá)到了237.31百萬(wàn)晶體管/平方毫米(MTr/mm²),Rapidus計(jì)劃在2026年第一季度向客戶提供其2nm工藝設(shè)計(jì)套件。日本基于G45間距,度臺(tái)
Rapidus的相上下超2HP工藝采用了高密度(HD)單元庫(kù) ,因此更高的戰(zhàn)局密度并非其主要目標(biāo) ,
而英特爾更注重性能/功耗比,膠著輯密積電Rapidus采用了單片前端處理技術(shù) ,日本
相比之下,膠著輯密積電有報(bào)道首次披露了該節(jié)點(diǎn)的日本邏輯密度