這款芯片采用創(chuàng)新的曝i屏機“1+3+4全大核架構(gòu)”，新機可能配備全新的僅英硅容量電池，在性能和能效方面均有顯著提升。曝i屏機定位中端線，僅英采用臺積電N3P工藝，曝i屏機旨在通過錯位競爭策略開拓市場