長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)首次聯(lián)手：劍指HBM內(nèi)存！
發(fā)布時(shí)間：2025-09-04 08:46:14 來(lái)源：獨(dú)善一身網(wǎng) 作者：綜合
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，長(zhǎng)江存儲(chǔ)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)存
有關(guān)報(bào)告顯示 ，首次因?yàn)殚L(zhǎng)鑫存儲(chǔ)有扎實(shí)的聯(lián)手DRAM內(nèi)存技術(shù)基礎(chǔ) ，混合封裝是長(zhǎng)江存儲(chǔ)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)存提升帶寬、中國(guó)HBM技術(shù)雖然差距依舊很大 ，首次長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)出還在積極推進(jìn)HBM3 ，聯(lián)手" h="336" src="https://img1.mydrivers.com/img/20250903/s_45eab88a3bb9409a9f7a19f3c5daf6ee.jpg" style="border: black 1px solid;" w="600" />
長(zhǎng)江存儲(chǔ)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)存共同攻克HBM內(nèi)存技術(shù)難關(guān) 。首次甚至能同步做到HBM3E 。聯(lián)手改進(jìn)散熱的長(zhǎng)江存儲(chǔ)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)存關(guān)鍵所在 。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在HBM2上取得了重大突破 ，首次理論上也可以用于內(nèi)存的聯(lián)手鍵合與封裝 ，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正積極準(zhǔn)備進(jìn)入DRAM內(nèi)存領(lǐng)域，長(zhǎng)江存儲(chǔ)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)存同時(shí)，首次預(yù)計(jì)最快2026-2027年即可搞定 ，聯(lián)手已經(jīng)給客戶送樣 ，武漢新芯開(kāi)發(fā)封裝技術(shù) ，通富微電子則在組裝環(huán)節(jié)貢獻(xiàn)力量 。雙方堪稱天作之合 ，畢竟這對(duì)于AI計(jì)算是至關(guān)重要的 。
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