中國HBM技術(shù)雖然差距依舊很大 ，長江存儲(chǔ)長鑫存儲(chǔ)存
長江存儲(chǔ)正積極準(zhǔn)備進(jìn)入DRAM內(nèi)存領(lǐng)域，首次中國一直在努力推進(jìn)國產(chǎn)化HBM內(nèi)存，聯(lián)手長江存儲(chǔ)則有領(lǐng)先的長江存儲(chǔ)長鑫存儲(chǔ)存Xtacing晶棧工藝 ，混合封裝是首次提升帶寬 、預(yù)計(jì)最快2026-2027年即可搞定 ，聯(lián)手長鑫存儲(chǔ)在HBM2上取得了重大突破
，長江存儲(chǔ)長鑫存儲(chǔ)存雙方堪稱天作之合 ，首次毫無疑問，聯(lián)手通富微電子則在組裝環(huán)節(jié)貢獻(xiàn)力量。長江存儲(chǔ)長鑫存儲(chǔ)存武漢新芯開發(fā)封裝技術(shù)
，首次還有報(bào)道稱 ，聯(lián)手改進(jìn)散熱的長江存儲(chǔ)長鑫存儲(chǔ)存關(guān)鍵所在 。長鑫存儲(chǔ)首次聯(lián)手
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