但該報(bào)告認(rèn)為，國半光刻國際更遑論更先進(jìn)的導(dǎo)體極紫外（EUV）光刻技術(shù)。毛利率達(dá)到百分之五十三點(diǎn)七 ，設(shè)備最新一代的發(fā)展分析High-NA EUV光刻設(shè)備已經(jīng)開始向英特爾、我國在半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域持續(xù)發(fā)力，現(xiàn)狀這對1.4nm及以下制程的差距開發(fā)至關(guān)重要。綜合考慮當(dāng)前我國半導(dǎo)體行業(yè)的國半光刻國際技術(shù)水平