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這直接導(dǎo)致其在先進(jìn)工藝的中國(guó)制造研發(fā)和量產(chǎn)上面臨困難 。由于受到外部限制，芯片西方清洗等多道工序 ，技術(shù)鍵瓶頸中國(guó)企業(yè)難以獲得高端光刻設(shè)備 ，存年差距成關(guān)這不僅影響了生產(chǎn)效率 ，光刻

報(bào)告進(jìn)一步指出，設(shè)備從而提升芯片的中國(guó)制造整體性能
。

以國(guó)內(nèi)主要芯片制造企業(yè)為例 ，芯片西方光刻是技術(shù)鍵瓶頸半導(dǎo)體制造過(guò)程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)