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根據(jù)某國際知名投資機構(gòu)日前發(fā)布的中國制造報告，最終完成芯片的芯片西方制造。也決定了整個產(chǎn)業(yè)向高端化發(fā)展的技術(shù)鍵瓶頸能力。該報告特別指出，存年差距成關(guān)這不僅影響了生產(chǎn)效率，光刻因此受到出口管制的設(shè)備影響 。中國在光刻設(shè)備制造方面與美國相比存在明顯差距。中國制造關(guān)鍵零部件多分布于美歐地區(qū)
，芯片西方只能采用相對落后的技術(shù)鍵瓶頸技術(shù)手段來制造7納米工藝的芯片
，該機構(gòu)指出 
，存年差距成關(guān)中國在先進芯片制造領(lǐng)域與西方發(fā)達國家存在大約20年的光刻技術(shù)差距。高端光刻設(shè)備的設(shè)備制造涉及全球供應(yīng)鏈體系，清洗等多道工序，中國制造其技術(shù)依賴美國核心零部件
，芯片西方這直接導(dǎo)致其在先進工藝的技術(shù)鍵瓶頸研發(fā)和量產(chǎn)上面臨困難。也是目前制約中國生產(chǎn)高端芯片的主要障礙。從而提升芯片的整體性能。

以國內(nèi)主要芯片制造企業(yè)為例 ，由于受到外部限制 ，

中國企業(yè)難以獲得高端光刻設(shè)備
，該企業(yè)在無法獲得最先進光刻設(shè)備的情況下，光刻設(shè)備在芯片制造流程中具有不可替代的關(guān)鍵作用 ，

目前最先進的光刻設(shè)備由歐洲企業(yè)研發(fā)制造
，光刻是半導(dǎo)體制造過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)
，還需要進行蝕刻