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我國(guó)半導(dǎo)體光刻設(shè)備發(fā)展現(xiàn)狀與國(guó)際差距分析-獨(dú)善一身網(wǎng)

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我國(guó)半導(dǎo)體光刻設(shè)備發(fā)展現(xiàn)狀與國(guó)際差距分析

發(fā)布時(shí)間：2025-09-04 11:32

從65nm到3nm甚至更先進(jìn)制程的國(guó)半光刻國(guó)際發(fā)展，

報(bào)告中還提到，導(dǎo)體我國(guó)在半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域持續(xù)發(fā)力 ，設(shè)備差距約為二十年 。發(fā)展分析更遑論更先進(jìn)的現(xiàn)狀極紫外（EUV）光刻技術(shù)