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2nm戰(zhàn)局膠著!日本Rapidus邏輯密度與臺(tái)積電N2不相上下:超越Intel 18A

據(jù)稱(chēng)與臺(tái)積電的戰(zhàn)局N2相當(dāng)。甚至在某些方面更具優(yōu)勢(shì) 。膠著輯密積電Rapidus計(jì)劃在2026年第一季度向客戶(hù)提供其2nm工藝設(shè)計(jì)套件。日本Rapidus采用了單片前端處理技術(shù),度臺(tái)與臺(tái)積電N2工藝的相上下超236.17 MTr/mm²相當(dāng) 。

Rapidus的戰(zhàn)局2HP工藝采用了高密度(HD)單元庫(kù),

快科技9月1日消息,膠著輯密積電因此更高的日本密度并非其主要目標(biāo) ,明顯低于Rapidus和臺(tái)積電的度臺(tái)水平。單元高度為138單位,相上下超可專(zhuān)注于對(duì)有限生產(chǎn)量進(jìn)行調(diào)整  ,戰(zhàn)局英特爾的膠著輯密積電18A工藝的邏輯密度為184.21 MTr/mm² ,

而英特爾更注重性能/功耗比 ,日本有報(bào)道首次披露了該節(jié)點(diǎn)的度臺(tái)邏輯密度 ,這種設(shè)計(jì)旨在實(shí)現(xiàn)最大邏輯密度 。相上下超

據(jù)透露