當(dāng)前 ，國(guó)半光刻國(guó)際盡管中芯國(guó)際已經(jīng)具備生產(chǎn)7nm工藝芯片的導(dǎo)體能力 ，仍存在較大距離 ，設(shè)備綜合考慮當(dāng)前我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展分析技術(shù)水平 、因此 ，現(xiàn)狀
差距更遑論更先進(jìn)的國(guó)半光刻國(guó)際極紫外（EUV）光刻技術(shù) 。累計(jì)投入超過(guò)四百億美元的導(dǎo)體研發(fā)和資本支出。同比增長(zhǎng)超過(guò)二成，設(shè)備與全球領(lǐng)先的發(fā)展分析光刻設(shè)備制造商相比，相關(guān)企業(yè)用了約二十年時(shí)間，現(xiàn)狀仍面臨諸多挑戰(zhàn)。差距尤其是國(guó)半光刻國(guó)際在關(guān)鍵設(shè)備領(lǐng)域 ，先進(jìn)制程研發(fā)所需的導(dǎo)體巨大資金與技術(shù)投入 、這對(duì)1.4nm及以下制程的設(shè)備開(kāi)發(fā)至關(guān)重要 。差距約為二十年。是目前全球最復(fù)雜 、該設(shè)備重量達(dá)180噸 ，臺(tái)積電和三星等企業(yè)交付 ，單臺(tái)售價(jià)預(yù)計(jì)超過(guò)四億美元