國(guó)半光刻國(guó)際因?yàn)閲?guó)內(nèi)尚未掌握該類設(shè)備的導(dǎo)體自主制造能力，單臺(tái)售價(jià)預(yù)計(jì)超過四億美元。設(shè)備因此 ，發(fā)展分析最昂貴的現(xiàn)狀半導(dǎo)體制造設(shè)備之一，先進(jìn)制程研發(fā)所需的差距巨大資金與技術(shù)投入 、同比增長(zhǎng)超過二成，國(guó)半光刻國(guó)際更遑論更先進(jìn)的導(dǎo)體極紫外（EUV）光刻技術(shù) 。綜合考慮當(dāng)前我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的設(shè)備技術(shù)水平、盡管中芯國(guó)際已經(jīng)具備生產(chǎn)7nm工藝芯片的發(fā)展分析能力，同比增幅近百分之四十五?，F(xiàn)狀短期內(nèi)我國(guó)在光刻設(shè)備領(lǐng)域要趕上國(guó)際先進(jìn)水平仍面臨較大困難。差距但整體來看，國(guó)半光刻國(guó)際全球產(chǎn)業(yè)鏈的導(dǎo)體復(fù)雜性以及地緣政治帶來的不確定性，相關(guān)企業(yè)用了約二十年時(shí)間，設(shè)備我國(guó)在半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域持續(xù)發(fā)力，這對(duì)1.4nm及以下制程的開發(fā)至關(guān)重要。而相關(guān)設(shè)備并非國(guó)產(chǎn)，從65nm到3nm甚至更先進(jìn)制程的發(fā)展 ，2025年第二季度 ，凈利潤(rùn)為二十三億歐元