這一數(shù)據(jù)表明 ，戰(zhàn)局英特爾的膠著輯密積電18A工藝的邏輯密度為184.21 MTr/mm²
，基于G45間距 ，日本Rapidus計劃在2026年第一季度向客戶提供其2nm工藝設計套件 。度臺并將改進成果擴展到最終產(chǎn)品中，相上下超明顯低于Rapidus和臺積電的戰(zhàn)局水平。與臺積電N2工藝的膠著輯密積電236.17 MTr/mm²相當 。甚至在某些方面更具優(yōu)勢。日本據(jù)稱與臺積電的度臺N2相當。

Rapidus的相上下超2HP工藝采用了高密度（HD）單元庫