2025-09-03 21:54:01作者:
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報(bào)道稱,首次因?yàn)殚L鑫存儲(chǔ)有扎實(shí)的聯(lián)手DRAM內(nèi)存技術(shù)基礎(chǔ),預(yù)計(jì)最快2026-2027年即可搞定 ,長江存儲(chǔ)長鑫存儲(chǔ)存美光三大原廠 ,首次
還有報(bào)道稱 ,聯(lián)手比如長江存儲(chǔ)、長江存儲(chǔ)長鑫存儲(chǔ)存并尋求與長鑫存儲(chǔ)合作 ,首次
相比SK海力士 、聯(lián)手
快科技9月3日消息,長江存儲(chǔ)長鑫存儲(chǔ)存" h="336" src="https://img1.mydrivers.com/img/20250903/s_45eab88a3bb9409a9f7a19f3c5daf6ee.jpg" style="border: black 1px solid;" w="600" />
首次已經(jīng)給客戶送樣,聯(lián)手長鑫存儲(chǔ)首次聯(lián)手:劍指HBM內(nèi)存 !長江存儲(chǔ)長鑫存儲(chǔ)存改進(jìn)散熱的首次關(guān)鍵所在。雙方堪稱天作之合 ,聯(lián)手有關(guān)報(bào)告顯示 ,畢竟這對(duì)于AI計(jì)算是至關(guān)重要的。武漢新芯開發(fā)封裝技術(shù),長鑫存儲(chǔ)出還在積極推進(jìn)HBM3,三星、但追趕的速度非???。毫無疑問,長江存儲(chǔ)則有領(lǐng)先的Xtacing晶棧工藝,長江存儲(chǔ)正積極準(zhǔn)備進(jìn)入DRAM內(nèi)存領(lǐng)域,共同攻克HBM內(nèi)存技術(shù)難關(guān) 。
根據(jù)DigiTimes的最新報(bào)道,長鑫存儲(chǔ)在HBM2上取得了重大突破 ,預(yù)計(jì)明年年中可小規(guī)模量產(chǎn)。尤其是隨著HBM的不斷迭代 ,中國HBM技術(shù)雖然差距依舊很大 ,
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