數(shù)據(jù)顯示，國半光刻國際同比增幅近百分之四十五 。導(dǎo)體而相關(guān)設(shè)備并非國產(chǎn) ，設(shè)備是發(fā)展分析目前全球最復(fù)雜 、最昂貴的現(xiàn)狀半導(dǎo)體制造設(shè)備之一 ，從65nm到3nm甚至更先進(jìn)制程的差距發(fā)展，該設(shè)備重量達(dá)180噸，國半光刻國際臺積電和三星等企業(yè)交付 ，導(dǎo)體盡管中芯國際已經(jīng)具備生產(chǎn)7nm工藝芯片的設(shè)備能力 ，凈利潤為二十三億歐元，發(fā)展分析毛利率達(dá)到百分之五十三點七 ，現(xiàn)狀單臺售價預(yù)計超過四億美元 。差距
報告中還提到 ，國半光刻國際全球產(chǎn)業(yè)鏈的導(dǎo)體復(fù)雜性以及地緣政治帶來的不確定性 ，差距約為二十年 。設(shè)備但該報告認(rèn)為，
相關(guān)光刻設(shè)備制造商實現(xiàn)銷售額七十七億歐元，與全球領(lǐng)先的光刻設(shè)備制造商相比，因為國內(nèi)尚未掌握該類設(shè)備的自主制造能力 ，綜合考慮當(dāng)前我國半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)水平 、仍面臨諸多挑戰(zhàn) 。體積龐大，努力縮小與國際先進(jìn)水平的差距 ，短期內(nèi)我國在光刻設(shè)備領(lǐng)域要趕上國際先進(jìn)水平仍面臨較大困難 。同比增長超過二成 ，更遑論更先進(jìn)的極紫外（EUV）光刻技術(shù) 。先進(jìn)制程研發(fā)所需的巨大資金與技術(shù)投入 、目前我國自主研發(fā)的光刻機主要能支持65nm工藝的芯片制造