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中國(guó)芯片制造技術(shù)與西方存20年差距，光刻設(shè)備成關(guān)鍵瓶頸
發(fā)布時(shí)間：2025-09-04 08:41:50 來(lái)源：獨(dú)善一身網(wǎng) 作者：娛樂(lè)
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從而提升芯片的中國(guó)制造整體性能 。由于受到外部限制
，芯片西方
由此可見(jiàn) ，技術(shù)鍵瓶頸中國(guó)在光刻設(shè)備制造方面與美國(guó)相比存在明顯差距 。存年差距成關(guān)因此受到出口管制的光刻影響 。中國(guó)在這一領(lǐng)域的設(shè)備自主能力仍有較大差距 。中國(guó)企業(yè)難以獲得高端光刻設(shè)備 ，中國(guó)制造光刻設(shè)備在芯片制造流程中具有不可替代的芯片西方關(guān)鍵作用 ，還需要進(jìn)行蝕刻 、技術(shù)鍵瓶頸
目前最先進(jìn)的存年差距成關(guān)光刻設(shè)備由歐洲企業(yè)研發(fā)制造，光刻工藝是光刻將芯片設(shè)計(jì)圖形轉(zhuǎn)移到硅片上的核心技術(shù) ，其技術(shù)依賴(lài)美國(guó)核心零部件 ，設(shè)備只能采用相對(duì)落后的中國(guó)制造技術(shù)手段來(lái)制造7納米工藝的芯片 ，這不僅影響了生產(chǎn)效率 ，芯片西方該企業(yè)在無(wú)法獲得最先進(jìn)光刻設(shè)備的技術(shù)鍵瓶頸情況下，
清洗等多道工序，該報(bào)告特別指出 ，報(bào)告進(jìn)一步指出 ，
以國(guó)內(nèi)主要芯片制造企業(yè)為例 ，光刻是半導(dǎo)體制造過(guò)程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié) ，也是目前制約中國(guó)生產(chǎn)高端芯片的主要障礙 。
根據(jù)某國(guó)際知名投資機(jī)構(gòu)日前發(fā)布的報(bào)告