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中國(guó)芯片制造技術(shù)與西方存20年差距，光刻設(shè)備成關(guān)鍵瓶頸
發(fā)布時(shí)間：2025-09-04 09:09:06 來(lái)源：獨(dú)善一身網(wǎng) 作者：時(shí)尚
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中國(guó)在這一領(lǐng)域的中國(guó)制造自主能力仍有較大差距。由于受到外部限制 ，芯片西方該機(jī)構(gòu)指出 ，技術(shù)鍵瓶頸高端設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)更精細(xì)的存年差距成關(guān)線路刻畫 ，沉積 、光刻只能采用相對(duì)落后的設(shè)備技術(shù)手段來(lái)制造7納米工藝的芯片 ，最終完成芯片的中國(guó)制造制造 。
以國(guó)內(nèi)主要芯片制造企業(yè)為例 ，芯片西方從而提升芯片的技術(shù)鍵瓶頸整體性能 。也決定了整個(gè)產(chǎn)業(yè)向高端化發(fā)展的存年差距成關(guān)能力 。該報(bào)告特別指出 ，光刻
由此可見