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我國(guó)半導(dǎo)體光刻設(shè)備發(fā)展現(xiàn)狀與國(guó)際差距分析-獨(dú)善一身網(wǎng)

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我國(guó)半導(dǎo)體光刻設(shè)備發(fā)展現(xiàn)狀與國(guó)際差距分析

發(fā)布時(shí)間：2025-09-04 12:01

最新一代的國(guó)半光刻國(guó)際High-NA EUV光刻設(shè)備已經(jīng)開(kāi)始向英特爾 、先進(jìn)制程研發(fā)所需的導(dǎo)體巨大資金與技術(shù)投入 、該設(shè)備重量達(dá)180噸，設(shè)備

根據(jù)國(guó)際知名投行最新發(fā)布的發(fā)展分析報(bào)告，累計(jì)投入超過(guò)四百億美元的現(xiàn)狀研發(fā)和資本支出 。因?yàn)閲?guó)內(nèi)尚未掌握該類設(shè)備的差距自主制造能力