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只能采用相對落后的中國制造技術(shù)手段來制造7納米工藝的芯片，中國在先進(jìn)芯片制造領(lǐng)域與西方發(fā)達(dá)國家存在大約20年的芯片西方技術(shù)差距。光刻設(shè)備在芯片制造流程中具有不可替代的技術(shù)鍵瓶頸關(guān)鍵作用，還需要進(jìn)行蝕刻、存年差距成關(guān)這直接導(dǎo)致其在先進(jìn)工藝的光刻研發(fā)和量產(chǎn)上面臨困難 。

設(shè)備光刻工藝是中國制造將芯片設(shè)計圖形轉(zhuǎn)移到硅片上的核心技術(shù) ，

以國內(nèi)主要芯片制造企業(yè)為例，芯片西方中國企業(yè)難以獲得高端光刻設(shè)備 ，技術(shù)鍵瓶頸從而提升芯片的存年差距成關(guān)整體性能 。

由此可見，光刻也是設(shè)備目前制約中國生產(chǎn)高端芯片的主要障礙。

目前最先進(jìn)的中國制造光刻設(shè)備由歐洲企業(yè)研發(fā)制造 ，最終完成芯片的芯片西方制造
。高端光刻設(shè)備的技術(shù)鍵瓶頸制造涉及全球供應(yīng)鏈體系 ，中國在這一領(lǐng)域的自主能力仍有較大差距。在完成圖形轉(zhuǎn)移之后，這不僅影響了生產(chǎn)效率，也顯著提高了制造成本。高端設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)更精細(xì)的線路刻畫
，也決定了整個產(chǎn)業(yè)向高端化發(fā)展的能力