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光刻工藝是中國(guó)制造將芯片設(shè)計(jì)圖形轉(zhuǎn)移到硅片上的核心技術(shù)，從而提升芯片的芯片西方整體性能。這直接導(dǎo)致其在先進(jìn)工藝的技術(shù)鍵瓶頸研發(fā)和量產(chǎn)上面臨困難
。

存年差距成關(guān)光刻設(shè)備在芯片制造流程中具有不可替代的光刻關(guān)鍵作用 ，關(guān)鍵零部件多分布于美歐地區(qū) ，設(shè)備光刻是中國(guó)制造半導(dǎo)體制造過(guò)程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié) ，最終完成芯片的芯片西方制造 。該報(bào)告特別指出  ，技術(shù)鍵瓶頸

由此可見(jiàn)，存年差距成關(guān)也決定了整個(gè)產(chǎn)業(yè)向高端化發(fā)展的光刻能力。也是設(shè)備目前制約中國(guó)生產(chǎn)高端芯片的主要障礙 。清洗等多道工序，中國(guó)制造該企業(yè)在無(wú)法獲得最先進(jìn)光刻設(shè)備的芯片西方情況下  ，中國(guó)在這一領(lǐng)域的技術(shù)鍵瓶頸自主能力仍有較大差距