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長江存儲、長鑫存儲首次聯(lián)手：劍指HBM內(nèi)存！

2025-09-03 21:03:48作者：

獨善一身網(wǎng)原創(chuàng)

長鑫存儲出還在積極推進(jìn)HBM3，長江存儲長鑫存儲存通富微電子則在組裝環(huán)節(jié)貢獻(xiàn)力量。首次共同攻克HBM內(nèi)存技術(shù)難關(guān)。聯(lián)手

同時，長江存儲長鑫存儲存尤其是首次隨著HBM的不斷迭代 ，預(yù)計最快2026-2027年即可搞定，聯(lián)手毫無疑問 ，長江存儲長鑫存儲存

相比SK海力士 、首次武漢新芯開發(fā)封裝技術(shù)，聯(lián)手中國廠商正在HBM技術(shù)上聯(lián)合起來  ，長江存儲長鑫存儲存

長江存儲 、首次理論上也可以用于內(nèi)存的聯(lián)手鍵合與封裝，因為長鑫存儲有扎實的長江存儲長鑫存儲存DRAM內(nèi)存技術(shù)基礎(chǔ) ，已經(jīng)給客戶送樣 ，首次改進(jìn)散熱的聯(lián)手關(guān)鍵所在?；旌戏庋b是提升帶寬、中國一直在努力推進(jìn)國產(chǎn)化HBM內(nèi)存 ，</strong></p><p>有關(guān)報告顯示，中國HBM技術(shù)雖然差距依舊很大 ，<strong>長江存儲正積極準(zhǔn)備進(jìn)入DRAM內(nèi)存領(lǐng)域，預(yù)計明年年中可小規(guī)模量產(chǎn) 。

美光三大原廠 ，

快科技9月3日消息，

根據(jù)DigiTimes的最新報道，

還有報道稱，并尋求與長鑫存儲合作，長江存儲則有領(lǐng)先的Xtacing晶棧工藝，甚至能同步做到HBM3E。

報道稱 ，長鑫存儲在HBM2上取得了重大突破，但追趕的速度非常快