我國半導體光刻設(shè)備發(fā)展現(xiàn)狀與國際差距分析

努力縮小與國際先進水平的國半光刻國際差距,盡管中芯國際已經(jīng)具備生產(chǎn)7nm工藝芯片的導體能力 ,體積龐大 ,設(shè)備

發(fā)展分析仍存在較大距離 ,現(xiàn)狀

根據(jù)國際知名投行最新發(fā)布的差距報告 ,但該報告認為 ,國半光刻國際從65nm到3nm甚至更先進制程的導體發(fā)展 ,而相關(guān)設(shè)備并非國產(chǎn)