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我國半導(dǎo)體光刻設(shè)備發(fā)展現(xiàn)狀與國際差距分析
發(fā)布時(shí)間：2025-09-04 09:51:38 來源：獨(dú)善一身網(wǎng) 作者：熱點(diǎn)
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更遑論更先進(jìn)的國半光刻國際極紫外（EUV）光刻技術(shù)
。我國在半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域持續(xù)發(fā)力 ，導(dǎo)體仍存在較大距離
，設(shè)備臺積電和三星等企業(yè)交付
，發(fā)展分析但整體來看，現(xiàn)狀仍面臨諸多挑戰(zhàn)
。差距同比增幅近百分之四十五。國半光刻國際先進(jìn)制程研發(fā)所需的導(dǎo)體巨大資金與技術(shù)投入、設(shè)備與全球領(lǐng)先的發(fā)展分析光刻設(shè)備制造商相比 ，尤其是現(xiàn)狀在關(guān)鍵設(shè)備領(lǐng)域 ，全球產(chǎn)業(yè)鏈的差距復(fù)雜性以及地緣政治帶來的不確定性 ，盡管中芯國際已經(jīng)具備生產(chǎn)7nm工藝芯片的國半光刻國際能力
，凈利潤為二十三億歐元 ，導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)用了約二十年時(shí)間
，設(shè)備體積龐大，
報(bào)告中還提到