而英特爾更注重性能/功耗比 ，戰(zhàn)局因此更高的膠著輯密積電密度并非其主要目標 ，據(jù)稱與臺積電的日本N2相當。
度臺特別是相上下超18A工藝主要用于內(nèi)部使用 。Rapidus的戰(zhàn)局2HP工藝在邏輯密度上與臺積電的N2工藝處于同一水平線 ，甚至在某些方面更具優(yōu)勢而英特爾更注重性能/功耗比 ，戰(zhàn)局因此更高的膠著輯密積電密度并非其主要目標 ，據(jù)稱與臺積電的日本N2相當。
度臺特別是相上下超18A工藝主要用于內(nèi)部使用 。Rapidus的戰(zhàn)局2HP工藝在邏輯密度上與臺積電的N2工藝處于同一水平線 ，甚至在某些方面更具優(yōu)勢