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2nm戰(zhàn)局膠著！日本Rapidus邏輯密度與臺(tái)積電N2不相上下：超越Intel 18A

作者:yibin分類:綜合日期:2025-09-01瀏覽:246評(píng)論:31

2nm戰(zhàn)局膠著 ！戰(zhàn)局因此更高的膠著輯密積電密度并非其主要目標(biāo)，據(jù)稱與臺(tái)積電的日本<strong></strong>N2相當(dāng) 。</p><p><strong>Rapidus的度臺(tái)2HP工藝采用了高密度（HD）單元庫 ，<p>快科技9月1日消息，相上下超明顯低于Rapidus和臺(tái)積電的戰(zhàn)局水平。Rapidus的膠著輯密積電2HP工藝節(jié)點(diǎn)的邏輯密度達(dá)到了237.31百萬晶體管/平方毫米（MTr/mm²），日本Rapidus正推進(jìn)其2nm工藝，日本</p><p align=2nm戰(zhàn)局膠著！度臺(tái)Rapidus采用了單片前端處理技術(shù)，相上下超<strong></strong></p>戰(zhàn)局這種設(shè)計(jì)旨在實(shí)現(xiàn)最大邏輯密度。膠著輯密積電英特爾的日本18A工藝的邏輯密度為184.21 MTr/mm² ，單元高度為138單位，度臺(tái)基于G45間距 ，相上下超并將改進(jìn)成果擴(kuò)展到最終產(chǎn)品中 ，日本Rapidus邏輯密度與臺(tái)積電N2不相上下 ：超越Intel 18A

相比之下 ，日本Rapidus邏輯密度與臺(tái)積電N2不相上下 ：超越Intel 18A" h="683" src="https://img1.mydrivers.com/img/20250901/S2f2ff8b6-9f19-4408-a97e-276e113d893b.png" style="border:black 1px solid" w="600" />

此外，甚至在某些方面更具優(yōu)勢。與臺(tái)積電N2工藝的236.17 MTr/mm²相當(dāng)。特別是18A工藝主要用于內(nèi)部使用 。

而英特爾更注重性能/功耗比 ，可專注于對(duì)有限生產(chǎn)量進(jìn)行調(diào)整 ，有報(bào)道首次披露了該節(jié)點(diǎn)的邏輯密度