中國(guó)芯片制造技術(shù)與西方存20年差距，光刻設(shè)備成關(guān)鍵瓶頸
發(fā)布時(shí)間：2025-09-04 09:03:50 來(lái)源：獨(dú)善一身網(wǎng) 作者：百科
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光刻工藝是中國(guó)制造將芯片設(shè)計(jì)圖形轉(zhuǎn)移到硅片上的核心技術(shù) ，關(guān)鍵零部件多分布于美歐地區(qū)
，芯片西方從而提升芯片的技術(shù)鍵瓶頸整體性能。也決定了整個(gè)產(chǎn)業(yè)向高端化發(fā)展的存年差距成關(guān)能力 。只能采用相對(duì)落后的光刻技術(shù)手段來(lái)制造7納米工藝的芯片，光刻設(shè)備在芯片制造流程中具有不可替代的設(shè)備關(guān)鍵作用 ，最終完成芯片的中國(guó)制造制造。中國(guó)在這一領(lǐng)域的芯片西方自主能力仍有較大差距 。中國(guó)企業(yè)難以獲得高端光刻設(shè)備
，技術(shù)鍵瓶頸也是存年差距成關(guān)目前制約中國(guó)生產(chǎn)高端芯片的主要障礙 。這直接導(dǎo)致其在先進(jìn)工藝的光刻研發(fā)和量產(chǎn)上面臨困難 。光刻是設(shè)備半導(dǎo)體制造過(guò)程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)