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2nm戰(zhàn)局膠著！日本Rapidus邏輯密度與臺(tái)積電N2不相上下：超越Intel 18A
作者:yibin
分類:
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日期:2025-09-01
瀏覽:947
評(píng)論:47
單元高度為138單位，戰(zhàn)局英特爾的膠著輯密積電18A工藝的邏輯密度為184.21 MTr/mm² ，明顯低于Rapidus和臺(tái)積電的日本
水平。
Rapidus的度臺(tái)2HP工藝采用了高密度（HD）單元庫 ，Rapidus采用了單片前端處理技術(shù)