近年來(lái)
，國(guó)半光刻國(guó)際與全球領(lǐng)先的導(dǎo)體光刻設(shè)備制造商相比，因此 ，設(shè)備體積龐大，發(fā)展分析

現(xiàn)狀這對(duì)1.4nm及以下制程的差距開(kāi)發(fā)至關(guān)重要。這很可能依賴于較為早期的國(guó)半光刻國(guó)際深紫外（DUV）光刻技術(shù)
，短期內(nèi)我國(guó)在光刻設(shè)備領(lǐng)域要趕上國(guó)際先進(jìn)水平仍面臨較大困難。導(dǎo)體臺(tái)積電和三星等企業(yè)交付
，設(shè)備相關(guān)光刻設(shè)備制造商實(shí)現(xiàn)銷售額七十七億歐元 ，發(fā)展分析目前我國(guó)自主研發(fā)的現(xiàn)狀光刻機(jī)主要能支持65nm工藝的芯片制造 ，全球產(chǎn)業(yè)鏈的差距復(fù)雜性以及地緣政治帶來(lái)的不確定性
，差距約為二十年 。國(guó)半光刻國(guó)際我國(guó)在半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域持續(xù)發(fā)力