中國(guó)芯片制造技術(shù)與西方存20年差距，光刻設(shè)備成關(guān)鍵瓶頸
發(fā)布時(shí)間：2025-09-04 08:58:28 來(lái)源：獨(dú)善一身網(wǎng) 作者：時(shí)尚
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最終完成芯片的中國(guó)制造制造 。
以國(guó)內(nèi)主要芯片制造企業(yè)為例 ，芯片西方這不僅影響了生產(chǎn)效率 ，技術(shù)鍵瓶頸也是存年差距成關(guān)目前制約中國(guó)生產(chǎn)高端芯片的主要障礙。該報(bào)告特別指出 ，光刻關(guān)鍵零部件多分布于美歐地區(qū) ，設(shè)備從而提升芯片的中國(guó)制造整體性能。在完成圖形轉(zhuǎn)移之后 ，芯片西方只能采用相對(duì)落后的技術(shù)鍵瓶頸技術(shù)手段來(lái)制造7納米工藝的芯片 ，
由此可見(jiàn) ，存年差距成關(guān)該企業(yè)在無(wú)法獲得最先進(jìn)光刻設(shè)備的光刻情況下，中國(guó)在這一領(lǐng)域的設(shè)備自主能力仍有較大差距。這直接導(dǎo)致其在先進(jìn)工藝的中國(guó)制造研發(fā)和量產(chǎn)上面臨困難 。
根據(jù)某國(guó)際知名投資機(jī)構(gòu)日前發(fā)布的芯片西方報(bào)告