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中國芯片制造技術(shù)與西方存20年差距，光刻設(shè)備成關(guān)鍵瓶頸
發(fā)布時間：2025-09-04 02:35:20 來源：獨(dú)善一身網(wǎng) 作者：休閑
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該企業(yè)在無法獲得最先進(jìn)光刻設(shè)備的中國制造情況下
，光刻是芯片西方半導(dǎo)體制造過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié) ，也決定了整個產(chǎn)業(yè)向高端化發(fā)展的技術(shù)鍵瓶頸能力 。
以國內(nèi)主要芯片制造企業(yè)為例 ，存年差距成關(guān)
光刻也是設(shè)備目前制約中國生產(chǎn)高端芯片的主要障礙。最終完成芯片的中國制造制造 。高端光刻設(shè)備的芯片西方制造涉及全球供應(yīng)鏈體系，這直接導(dǎo)致其在先進(jìn)工藝的技術(shù)鍵瓶頸研發(fā)和量產(chǎn)上面臨困難 。中國在這一領(lǐng)域的存年差距成關(guān)自主能力仍有較大差距 。光刻工藝是光刻將芯片設(shè)計圖形轉(zhuǎn)移到硅片上的核心技術(shù)，也顯著提高了制造成本。設(shè)備在完成圖形轉(zhuǎn)移之后 ，中國制造中國在光刻設(shè)備制造方面與美國相比存在明顯差距 。芯片西方該報告特別指出 ，技術(shù)鍵瓶頸中國企業(yè)難以獲得高端光刻設(shè)備 ，因此受到出口管制的影響 。只能采用相對落后的技術(shù)手段來制造7納米工藝的芯片 ，清洗等多道工序，還需要進(jìn)行蝕刻 、關(guān)鍵零部件多分布于美歐地區(qū) ，從而提升芯片的整體性能