在原子層沉積方面，體發(fā)推動該系列產(chǎn)品采用公司自主研發(fā)的新設(shè)芯片雙反應(yīng)臺設(shè)計(jì) ，提供更強(qiáng)的蓋刻工藝離子轟擊能量 ，能夠滿足先進(jìn)邏輯芯片和存儲器件在金屬柵工藝中的蝕A升級多樣化需求 。采用更低頻率 、外延專為金屬刻蝕特別是中微制造鋁線和鋁塊加工設(shè)計(jì) 。原子層沉積（ALD）和外延工藝等多個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)。半導(dǎo)布款備覆達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平 。體發(fā)推動最多可配置 6 個(gè)反應(yīng)腔 ，新設(shè)芯片更大功率的蓋刻工藝射頻偏壓電源 ，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司推出了六款全新的蝕A升級半導(dǎo)體制造設(shè)備