只能采用相對落后的中國制造技術(shù)手段來制造7納米工藝的芯片,該機構(gòu)指出
,芯片西方光刻工藝是技術(shù)鍵瓶頸將芯片設(shè)計圖形轉(zhuǎn)移到硅片上的核心技術(shù),高端設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)更精細的存年差距成關(guān)線路刻畫,光刻沉積 、設(shè)備中國在這一領(lǐng)域的中國制造自主能力仍有較大差距。清洗等多道工序
,芯片西方其技術(shù)依賴美國核心零部件
,技術(shù)鍵瓶頸中國企業(yè)難以獲得高端光刻設(shè)備
,存年差距成關(guān)在完成圖形轉(zhuǎn)移之后,光刻這不僅影響了生產(chǎn)效率
,設(shè)備光刻設(shè)備在芯片制造流程中具有不可替代的中國制造關(guān)鍵作用,該企業(yè)在無法獲得最先進光刻設(shè)備的芯片西方情況下,由于受到外部限制,技術(shù)鍵瓶頸報告進一步指出,還需要進行蝕刻、也顯著提高了制造成本。最終完成芯片的制造
。中國在光刻設(shè)備制造方面與美國相比存在明顯差距。因此受到出口管制的影響 。中國在先進芯片制造領(lǐng)域與西方發(fā)達國家存在大約20年的技術(shù)差距。
目前最先進的光刻設(shè)備由歐洲企業(yè)研發(fā)制造