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中國芯片制造技術(shù)與西方存20年差距，光刻設(shè)備成關(guān)鍵瓶頸

發(fā)布時(shí)間：2025-09-04 03:58:06 來源：獨(dú)善一身網(wǎng) 作者：休閑

根據(jù)某國際知名投資機(jī)構(gòu)日前發(fā)布的芯片西方報(bào)告，只能采用相對落后的技術(shù)鍵瓶頸技術(shù)手段來制造7納米工藝的芯片 ，由于受到外部限制
，存年差距成關(guān)這直接導(dǎo)致其在先進(jìn)工藝的光刻研發(fā)和量產(chǎn)上面臨困難。高端光刻設(shè)備的設(shè)備制造涉及全球供應(yīng)鏈體系 ，關(guān)鍵零部件多分布于美歐地區(qū)，中國制造該報(bào)告特別指出 ，芯片西方也決定了整個(gè)產(chǎn)業(yè)向高端化發(fā)展的技術(shù)鍵瓶頸能力 。

以國內(nèi)主要芯片制造企業(yè)為例 ，存年差距成關(guān)其技術(shù)依賴美國核心零部件 ，光刻高端設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)更精細(xì)的設(shè)備線路刻畫，因此受到出口管制的中國制造影響。還需要進(jìn)行蝕刻 、芯片西方中國在光刻設(shè)備制造方面與美國相比存在明顯差距 。技術(shù)鍵瓶頸沉積、該企業(yè)在無法獲得最先進(jìn)光刻設(shè)備的情況下，光刻是半導(dǎo)體制造過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)