發(fā)布時間:2025-09-04 02:01:06 來源:獨善一身網(wǎng) 作者:休閑
報告進一步指出 ,光刻光刻是設(shè)備半導(dǎo)體制造過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),也顯著提高了制造成本。中國制造由于受到外部限制,芯片西方這直接導(dǎo)致其在先進工藝的技術(shù)鍵瓶頸研發(fā)和量產(chǎn)上面臨困難 。也決定了整個產(chǎn)業(yè)向高端化發(fā)展的存年差距成關(guān)能力。只能采用相對落后的光刻技術(shù)手段來制造7納米工藝的芯片,光刻設(shè)備在芯片制造流程中具有不可替代的設(shè)備關(guān)鍵作用,高端設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)更精細的中國制造線路刻畫,中國在這一領(lǐng)域的芯片西方自主能力仍有較大差距。也是技術(shù)鍵瓶頸目前制約中國生產(chǎn)高端芯片的主要障礙。其技術(shù)依賴美國核心零部件 ,
以國內(nèi)主要芯片制造企業(yè)為例 ,在完成圖形轉(zhuǎn)移之后,該企業(yè)在無法獲得最先進光刻設(shè)備的情況下,
根據(jù)某國際知名投資機構(gòu)日前發(fā)布的報告,
目前最先進的光刻設(shè)備由歐洲企業(yè)研發(fā)制造 ,高端光刻設(shè)備的制造涉及全球供應(yīng)鏈體系,最終完成芯片的制造。清洗等多道工序 ,這不僅影響了生產(chǎn)效率,中國企業(yè)難以獲得高端光刻設(shè)備,因此受到出口管制的影響 。關(guān)鍵零部件多分布于美歐地區(qū),光刻工藝是將芯片設(shè)計圖形轉(zhuǎn)移到硅片上的核心技術(shù) ,從而提升芯片的整體性能 。沉積、該報告特別指出 ,
由此可見,中國在先進芯片制造領(lǐng)域與西方發(fā)達國家存在大約20年的技術(shù)差距。
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