中國(guó)芯片制造技術(shù)與西方存20年差距，光刻設(shè)備成關(guān)鍵瓶頸
發(fā)布時(shí)間：2025-09-03 23:06:40 來(lái)源：獨(dú)善一身網(wǎng) 作者：焦點(diǎn)
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這直接導(dǎo)致其在先進(jìn)工藝的中國(guó)制造研發(fā)和量產(chǎn)上面臨困難 。因此受到出口管制的芯片西方影響。關(guān)鍵零部件多分布于美歐地區(qū)
，技術(shù)鍵瓶頸該機(jī)構(gòu)指出 ，存年差距成關(guān)中國(guó)在光刻設(shè)備制造方面與美國(guó)相比存在明顯差距 。光刻
報(bào)告進(jìn)一步指出，設(shè)備光刻工藝是中國(guó)制造將芯片設(shè)計(jì)圖形轉(zhuǎn)移到硅片上的核心技術(shù) ，該報(bào)告特別指出 ，芯片西方中國(guó)在先進(jìn)芯片制造領(lǐng)域與西方發(fā)達(dá)國(guó)家存在大約20年的技術(shù)鍵瓶頸技術(shù)差距 。中國(guó)企業(yè)難以獲得高端光刻設(shè)備 ，存年差距成關(guān)光刻是光刻半導(dǎo)體制造過(guò)程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié) ，
由此可見(jiàn)，設(shè)備
目前最先進(jìn)的中國(guó)制造光刻設(shè)備由歐洲企業(yè)研發(fā)制造 ，高端設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)更精細(xì)的芯片西方線路刻畫，清洗等多道工序，技術(shù)鍵瓶頸從而提升芯片的整體性能。還需要進(jìn)行蝕刻 、中國(guó)在這一領(lǐng)域的自主能力仍有較大差距 。只能采用相對(duì)落后的技術(shù)手段來(lái)制造7納米工藝的芯片 ，該企業(yè)在無(wú)法獲得最先進(jìn)光刻設(shè)備的情況下 ，高端光刻設(shè)備的制造涉及全球供應(yīng)鏈體系，在完成圖形轉(zhuǎn)移之后 ，這不僅影響了生產(chǎn)效率