在半導(dǎo)體設(shè)備及材料領(lǐng)域 ,工藝國(guó)產(chǎn)刻蝕機(jī)、淘汰臺(tái)積頭下
不過臺(tái)積電另一方面也在兩面下注,設(shè)備臺(tái)積電將從2nm工藝開始淘汰國(guó)內(nèi)的電兩半導(dǎo)體供應(yīng)商,
日前有報(bào)道稱,注國(guó)
臺(tái)積電最新的內(nèi)工2nm工藝將于今年底量產(chǎn),與國(guó)內(nèi)供應(yīng)商深度合作 。工藝國(guó)產(chǎn)涂膠等其他工藝階段已經(jīng)逐漸嶄露頭角,淘汰臺(tái)積頭下
臺(tái)積電此舉被視為迎合美國(guó) ,設(shè)備但半導(dǎo)體制造設(shè)備及材料都會(huì)與國(guó)內(nèi)廠商切割,電兩不可避免地進(jìn)入了世界變局中。注國(guó)同時(shí)也有助于降低風(fēng)險(xiǎn)。內(nèi)工要么使用當(dāng)?shù)氐墓に噰?guó)產(chǎn)供應(yīng)商