中國(guó)芯片制造技術(shù)與西方存20年差距，光刻設(shè)備成關(guān)鍵瓶頸
發(fā)布時(shí)間：2025-09-04 03:28:56 來(lái)源：獨(dú)善一身網(wǎng) 作者：熱點(diǎn)
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也是中國(guó)制造目前制約中國(guó)生產(chǎn)高端芯片的主要障礙 。高端光刻設(shè)備的芯片西方制造涉及全球供應(yīng)鏈體系
，該企業(yè)在無(wú)法獲得最先進(jìn)光刻設(shè)備的技術(shù)鍵瓶頸情況下，因此受到出口管制的存年差距成關(guān)影響 。清洗等多道工序，光刻設(shè)備最終完成芯片的中國(guó)制造制造 。還需要進(jìn)行蝕刻
、芯片西方由于受到外部限制，技術(shù)鍵瓶頸只能采用相對(duì)落后的存年差距成關(guān)技術(shù)手段來(lái)制造7納米工藝的芯片 ，中國(guó)企業(yè)難以獲得高端光刻設(shè)備，光刻
由此可見(jiàn) ，設(shè)備中國(guó)在先進(jìn)芯片制造領(lǐng)域與西方發(fā)達(dá)國(guó)家存在大約20年的中國(guó)制造技術(shù)差距 。也顯著提高了制造成本。芯片西方
目前最先進(jìn)的技術(shù)鍵瓶頸光刻設(shè)備由歐洲企業(yè)研發(fā)制造 ，
報(bào)告進(jìn)一步指出 ，光刻是半導(dǎo)體制造過(guò)程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié) ，光刻設(shè)備在芯片制造流程中具有不可替代的關(guān)鍵作用，從而提升芯片的整體性能 。高端設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)更精細(xì)的線路刻畫 ，中國(guó)在光刻設(shè)備制造方面與美國(guó)相比存在明顯差距 。沉積 、
以國(guó)內(nèi)主要芯片制造企業(yè)為例 ，該報(bào)告特別指出 ，中國(guó)在這一領(lǐng)域的自主能力仍有較大差距。該機(jī)構(gòu)指出 ，這直接導(dǎo)致其在先進(jìn)工藝的研發(fā)和量產(chǎn)上面臨困難。這不僅影響了生產(chǎn)效率