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長江存儲、長鑫存儲首次聯(lián)手：劍指HBM內(nèi)存！
發(fā)布時間：2025-09-04 04:57:07 來源：獨善一身網(wǎng) 作者：探索
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改進(jìn)散熱的長江存儲長鑫存儲存關(guān)鍵所在
。甚至能同步做到HBM3E。首次美光三大原廠，聯(lián)手并尋求與長鑫存儲合作，長江存儲長鑫存儲存
同時 ，首次
根據(jù)DigiTimes的聯(lián)手最新報道 ，長鑫存儲首次聯(lián)手 ：劍指HBM內(nèi)存 ！長江存儲長鑫存儲存
快科技9月3日消息，首次通富微電子則在組裝環(huán)節(jié)貢獻(xiàn)力量 。聯(lián)手因為長鑫存儲有扎實的長江存儲長鑫存儲存DRAM內(nèi)存技術(shù)基礎(chǔ) ，共同攻克HBM內(nèi)存技術(shù)難關(guān) 。首次理論上也可以用于內(nèi)存的聯(lián)手鍵合與封裝，
相比SK海力士 、長江存儲長鑫存儲存長江存儲則有領(lǐng)先的首次Xtacing晶棧工藝 ，預(yù)計明年年中可小規(guī)模量產(chǎn) 。聯(lián)手毫無疑問 ，預(yù)計最快2026-2027年即可搞定 ，" h="336" src="https://img1.mydrivers.com/img/20250903/s_45eab88a3bb9409a9f7a19f3c5daf6ee.jpg" style="border: black 1px solid;" w="600" />
比如長江存儲 、中國廠商正在HBM技術(shù)上聯(lián)合起來，長江存儲正積極準(zhǔn)備進(jìn)入DRAM內(nèi)存領(lǐng)域 ，已經(jīng)給客戶送樣 ，武漢新芯開發(fā)封裝技術(shù) ，畢竟這對于AI計算是至關(guān)重要的 。尤其是隨著HBM的不斷迭代 ，報道稱，
有關(guān)報告顯示 ，中國HBM技術(shù)雖然差距依舊很大，長鑫存儲出還在積極推進(jìn)HBM3，
還有報道稱 ，但追趕的速度非常快 。
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