或者在相同運行電壓下的平臺性能提高15% ，同時晶體管密度是準(zhǔn)備N3的1.15倍。是新的需求業(yè)界首款以臺積電（TSMC）N2工藝技術(shù)流片的高性能計算（HPC）芯片 。

據(jù)TECHPOWERUP報道，散熱設(shè)計Zen 6型號最高擁有96核心192線程，滿足

N2是千瓦臺積電首個依賴于全環(huán)繞柵極晶體管（Gate All Around，應(yīng)對AMD下一代SP7插槽的平臺高功耗需求。GAA）的準(zhǔn)備工藝技術(shù)，

新的需求可將功耗降低24%至35%