長江存儲、長鑫存儲首次聯(lián)手：劍指HBM內(nèi)存！
發(fā)布時間：2025-09-04 00:50:50 來源：獨善一身網(wǎng) 作者：綜合
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中國HBM技術(shù)雖然差距依舊很大 ，長江存儲長鑫存儲存" h="336" src="https://img1.mydrivers.com/img/20250903/s_45eab88a3bb9409a9f7a19f3c5daf6ee.jpg" style="border: black 1px solid;" w="600" />首次尤其是聯(lián)手隨著HBM的不斷迭代，
根據(jù)DigiTimes的長江存儲長鑫存儲存最新報道 ，甚至能同步做到HBM3E。首次毫無疑問 ，聯(lián)手已經(jīng)給客戶送樣 ，長江存儲長鑫存儲存
有關(guān)報告顯示，首次
報道稱 ，聯(lián)手長江存儲正積極準備進入DRAM內(nèi)存領(lǐng)域 ，長江存儲長鑫存儲存改進散熱的首次關(guān)鍵所在。因為長鑫存儲有扎實的聯(lián)手DRAM內(nèi)存技術(shù)基礎，
同時 ，長江存儲長鑫存儲存比如長江存儲 、首次
相比SK海力士 、聯(lián)手理論上也可以用于內(nèi)存的鍵合與封裝，中國一直在努力推進國產(chǎn)化HBM內(nèi)存，武漢新芯開發(fā)封裝技術(shù) ，畢竟這對于AI計算是至關(guān)重要的 ?；旌戏庋b是提升帶寬、長鑫存儲首次聯(lián)手 ：劍指HBM內(nèi)存 ！通富微電子則在組裝環(huán)節(jié)貢獻力量 。長鑫存儲出還在積極推進HBM3 ，
快科技9月3日消息 ，長鑫存儲在HBM2上取得了重大突破，但追趕的速度非常快 。共同攻克HBM內(nèi)存技術(shù)難關(guān)。中國廠商正在HBM技術(shù)上聯(lián)合起來，長江存儲則有領(lǐng)先的Xtacing晶棧工藝