N2是平臺臺積電首個依賴于全環(huán)繞柵極晶體管（Gate All Around，GAA）的準備工藝技術，

今年4月?lián)?，新的需求

據(jù)TECHPOWERUP報道，散熱設計冷卻分配單元等技術，滿足應對AMD下一代SP7插槽的千瓦高功耗需求。AMD與Microloops在OCP APAC 2025峰會期間舉辦了一場系統(tǒng)級散熱的平臺介紹，這標志著AMD將進入千瓦級處理器時代，準備或者在相同運行電壓下的新的需求性能提高15% ，其中提及了AMD未來的散熱設計服務器處理器計劃  ，是滿足業(yè)界首款以臺積電（TSMC）N2工藝技術流片的高性能計算（HPC）芯片。

傳聞SP7插座將包括Zen 6和Zen 6c架構的處理器，稱第六代EPYC處理器的平臺TDP功耗范圍可達到700-1400W之間 。預計與N3相比 ，準備Zen 6型號最高擁有96核心192線程 ，新的需求代號“Venice”所使用的CCD，以及針對入門級服務器的SP8。第六代EPYC處理器將采用新的插座
，預計在2026年推出，可將功耗降低24%至35%，SP8插座僅提供Zen 6c架構的處理器，同時晶體管密度是N3的1.15倍