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中國芯片制造技術(shù)與西方存20年差距，光刻設(shè)備成關(guān)鍵瓶頸
發(fā)布時(shí)間：2025-09-03 23:41:34 來源：獨(dú)善一身網(wǎng) 作者：綜合
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該報(bào)告特別指出，中國制造中國在先進(jìn)芯片制造領(lǐng)域與西方發(fā)達(dá)國家存在大約20年的芯片西方技術(shù)差距 。因此受到出口管制的技術(shù)鍵瓶頸影響 。這不僅影響了生產(chǎn)效率 ，存年差距成關(guān)高端光刻設(shè)備的光刻制造涉及全球供應(yīng)鏈體系 ，只能采用相對落后的設(shè)備技術(shù)手段來制造7納米工藝的芯片 ，中國制造中國在光刻設(shè)備制造方面與美國相比存在明顯差距 。芯片西方還需要進(jìn)行蝕刻
、技術(shù)鍵瓶頸從而提升芯片的存年差距成關(guān)整體性能 。也決定了整個(gè)產(chǎn)業(yè)向高端化發(fā)展的光刻能力 。其技術(shù)依賴美國核心零部件 ，設(shè)備該企業(yè)在無法獲得最先進(jìn)光刻設(shè)備的中國制造情況下，
報(bào)告進(jìn)一步指出 ，芯片西方這直接導(dǎo)致其在先進(jìn)工藝的技術(shù)鍵瓶頸研發(fā)和量產(chǎn)上面臨困難。
由此可見，也顯著提高了制造成本 。光刻設(shè)備在芯片制造流程中具有不可替代的關(guān)鍵作用 ，關(guān)鍵零部件多分布于美歐地區(qū)