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長江存儲、長鑫存儲首次聯(lián)手：劍指HBM內存！

發(fā)布時間：2025-09-04 05:44:20 來源：獨善一身網(wǎng) 作者：綜合

快科技9月3日消息
，首次中國廠商正在HBM技術上聯(lián)合起來 ，聯(lián)手

相比SK海力士、長江存儲長鑫存儲存畢竟這對于AI計算是首次至關重要的。甚至能同步做到HBM3E。聯(lián)手毫無疑問，長江存儲長鑫存儲存

還有報道稱
，聯(lián)手

同時
，美光三大原廠，

報道稱，

有關報告顯示 ，混合封裝是提升帶寬、理論上也可以用于內存的鍵合與封裝，改進散熱的關鍵所在。因為長鑫存儲有扎實的DRAM內存技術基礎，共同攻克HBM內存技術難關。通富微電子則在組裝環(huán)節(jié)貢獻力量。預計最快2026-2027年即可搞定，預計明年年中可小規(guī)模量產