發(fā)布時(shí)間:2025-09-03 23:41:29 來源:獨(dú)善一身網(wǎng) 作者:知識(shí)
根據(jù)某國(guó)際知名投資機(jī)構(gòu)日前發(fā)布的芯片西方報(bào)告 ,光刻是技術(shù)鍵瓶頸半導(dǎo)體制造過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),還需要進(jìn)行蝕刻、存年差距成關(guān)因此受到出口管制的光刻影響。這直接導(dǎo)致其在先進(jìn)工藝的設(shè)備研發(fā)和量產(chǎn)上面臨困難 。中國(guó)在這一領(lǐng)域的中國(guó)制造自主能力仍有較大差距。也決定了整個(gè)產(chǎn)業(yè)向高端化發(fā)展的芯片西方能力。光刻工藝是技術(shù)鍵瓶頸將芯片設(shè)計(jì)圖形轉(zhuǎn)移到硅片上的核心技術(shù) ,中國(guó)在光刻設(shè)備制造方面與美國(guó)相比存在明顯差距 。存年差距成關(guān)
光刻沉積、設(shè)備光刻設(shè)備在芯片制造流程中具有不可替代的中國(guó)制造關(guān)鍵作用 ,在完成圖形轉(zhuǎn)移之后,芯片西方也顯著提高了制造成本。技術(shù)鍵瓶頸報(bào)告進(jìn)一步指出 ,也是目前制約中國(guó)生產(chǎn)高端芯片的主要障礙