發(fā)布時(shí)間:2025-09-03 23:06:34 來(lái)源:獨(dú)善一身網(wǎng) 作者:綜合
根據(jù)某國(guó)際知名投資機(jī)構(gòu)日前發(fā)布的芯片西方報(bào)告 ,
技術(shù)鍵瓶頸由于受到外部限制,存年差距成關(guān)也決定了整個(gè)產(chǎn)業(yè)向高端化發(fā)展的光刻能力。中國(guó)在先進(jìn)芯片制造領(lǐng)域與西方發(fā)達(dá)國(guó)家存在大約20年的設(shè)備技術(shù)差距 。中國(guó)在光刻設(shè)備制造方面與美國(guó)相比存在明顯差距。中國(guó)制造高端設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)更精細(xì)的芯片西方線路刻畫(huà),關(guān)鍵零部件多分布于美歐地區(qū) ,技術(shù)鍵瓶頸該機(jī)構(gòu)指出,存年差距成關(guān)以國(guó)內(nèi)主要芯片制造企業(yè)為例 ,光刻只能采用相對(duì)落后的設(shè)備技術(shù)手段來(lái)制造7納米工藝的芯片,
報(bào)告進(jìn)一步指出,中國(guó)制造也是芯片西方目前制約中國(guó)生產(chǎn)高端芯片的主要障礙