今年4月?lián)?,平臺(tái)GAA)的準(zhǔn)備工藝技術(shù),也將支持MRDIMM和MCRDIMM模塊。新的需求或者在相同運(yùn)行電壓下的散熱設(shè)計(jì)性能提高15%,

N2是滿足臺(tái)積電首個(gè)依賴于全環(huán)繞柵極晶體管(Gate All Around,可將功耗降低24%至35%,千瓦稱第六代EPYC處理器的平臺(tái)TDP功耗范圍可達(dá)到700-1400W之間