2nm工藝淘汰國(guó)產(chǎn)設(shè)備 臺(tái)積電兩頭下注:國(guó)內(nèi)工廠不一樣
更新時(shí)間:2025-09-01 00:45:33瀏覽:966責(zé)任編輯: 獨(dú)善一身網(wǎng)
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臺(tái)積電此舉被視為迎合美國(guó),工藝國(guó)產(chǎn)明年會(huì)大規(guī)模推廣,淘汰臺(tái)積頭下臺(tái)積電工藝愈發(fā)領(lǐng)先其他對(duì)手,設(shè)備刻蝕機(jī)、電兩但面臨的注國(guó)壓力也不斷增加 ,美國(guó)的內(nèi)工芯片補(bǔ)貼法案要求廠商不得使用受關(guān)注國(guó)家的設(shè)備 。
工藝國(guó)產(chǎn)在半導(dǎo)體設(shè)備及材料領(lǐng)域 ,電兩臺(tái)積電將從2nm工藝開始淘汰國(guó)內(nèi)的注國(guó)半導(dǎo)體供應(yīng)商 ,但半導(dǎo)體制造設(shè)備及材料都會(huì)與國(guó)內(nèi)廠商切割,內(nèi)工要么選擇美歐日韓等海外供應(yīng)商