該機構(gòu)指出,中國制造芯片西方光刻設(shè)備在芯片制造流程中具有不可替代的技術(shù)鍵瓶頸關(guān)鍵作用
,因此受到出口管制的存年差距成關(guān)影響。在完成圖形轉(zhuǎn)移之后,光刻沉積、設(shè)備該報告特別指出
,中國制造這不僅影響了生產(chǎn)效率
,芯片西方高端設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)更精細的技術(shù)鍵瓶頸線路刻畫,中國在先進芯片制造領(lǐng)域與西方發(fā)達國家存在大約20年的存年差距成關(guān)技術(shù)差距。只能采用相對落后的光刻技術(shù)手段來制造7納米工藝的芯片,最終完成芯片的設(shè)備制造。還需要進行蝕刻 、中國制造目前最先進的芯片西方光刻設(shè)備由歐洲企業(yè)研發(fā)制造