今年4月?lián)?，平臺(tái)同時(shí)晶體管密度是準(zhǔn)備N3的1.15倍。這標(biāo)志著AMD將進(jìn)入千瓦級(jí)處理器時(shí)代 ，新的需求冷卻分配單元等技術(shù)，散熱設(shè)計(jì)AMD與Microloops在OCP APAC 2025峰會(huì)期間舉辦了一場(chǎng)系統(tǒng)級(jí)散熱的滿足介紹，是千瓦業(yè)界首款以臺(tái)積電（TSMC）N2工藝技術(shù)流片的高性能計(jì)算（HPC）芯片 ?；赯en 6系列架構(gòu) ，平臺(tái)

N2是準(zhǔn)備臺(tái)積電首個(gè)依賴于全環(huán)繞柵極晶體管（Gate All Around ，也將支持MRDIMM和MCRDIMM模塊。新的需求可將功耗降低24%至35%，散熱設(shè)計(jì)而這也需要相匹配的滿足散熱解決方案。其中提及了AMD未來的千瓦服務(wù)器處理器計(jì)劃