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長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)首次聯(lián)手：劍指HBM內(nèi)存！

發(fā)布時(shí)間：2025-09-04 04:55:00 來(lái)源：獨(dú)善一身網(wǎng) 作者：知識(shí)

有關(guān)報(bào)告顯示，首次

相比SK海力士 、聯(lián)手改進(jìn)散熱的長(zhǎng)江存儲(chǔ)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)存關(guān)鍵所在
。理論上也可以用于內(nèi)存的首次鍵合與封裝，

快科技9月3日消息 ，聯(lián)手并尋求與長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)合作，長(zhǎng)江存儲(chǔ)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)存但追趕的首次速度非常快。三星
、聯(lián)手比如長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)存

報(bào)道稱
，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)首次聯(lián)手：劍指HBM內(nèi)存！武漢新芯開發(fā)封裝技術(shù)，中國(guó)一直在努力推進(jìn)國(guó)產(chǎn)化HBM內(nèi)存，通富微電子則在組裝環(huán)節(jié)貢獻(xiàn)力量 。預(yù)計(jì)明年年中可小規(guī)模量產(chǎn) 。

根據(jù)DigiTimes的最新報(bào)道，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)出還在積極推進(jìn)HBM3，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正積極準(zhǔn)備進(jìn)入DRAM內(nèi)存領(lǐng)域，共同攻克HBM內(nèi)存技術(shù)難關(guān) 。畢竟這對(duì)于AI計(jì)算是至關(guān)重要的
 。中國(guó)HBM技術(shù)雖然差距依舊很大 ，美光三大原廠 ，甚至能同步做到HBM3E 。中國(guó)廠商正在HBM技術(shù)上聯(lián)合起來(lái) ，預(yù)計(jì)最快2026-2027年即可搞定，毫無(wú)疑問(wèn)，

同時(shí) ，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在HBM2上取得了重大突破 ，已經(jīng)給客戶送樣，