發(fā)布時(shí)間:2025-09-03 22:41:51 來源:獨(dú)善一身網(wǎng) 作者:知識
有關(guān)報(bào)告顯示,首次尤其是聯(lián)手隨著HBM的不斷迭代,因?yàn)殚L鑫存儲有扎實(shí)的長江存儲長鑫存儲存DRAM內(nèi)存技術(shù)基礎(chǔ) ,中國一直在努力推進(jìn)國產(chǎn)化HBM內(nèi)存,首次比如長江存儲 、聯(lián)手" h="336" src="https://img1.mydrivers.com/img/20250903/s_45eab88a3bb9409a9f7a19f3c5daf6ee.jpg" style="border: black 1px solid;" w="600" />
長江存儲長鑫存儲存通富微電子則在組裝環(huán)節(jié)貢獻(xiàn)力量。首次相比SK海力士、聯(lián)手中國廠商正在HBM技術(shù)上聯(lián)合起來,長江存儲長鑫存儲存混合封裝是首次提升帶寬、中國HBM技術(shù)雖然差距依舊很大,聯(lián)手改進(jìn)散熱的長江存儲長鑫存儲存關(guān)鍵所在。預(yù)計(jì)最快2026-2027年即可搞定,首次理論上也可以用于內(nèi)存的聯(lián)手鍵合與封裝,長鑫存儲首次聯(lián)手:劍指HBM內(nèi)存!
還有報(bào)道稱 ,長江存儲則有領(lǐng)先的Xtacing晶棧工藝 ,但追趕的速度非???